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半导体硅锗中的离子注入, (美)迈耶(J.W.Mayer)等著 |
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ISBN:
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价格： ￥0.97 |
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语种:
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chi |
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题名:
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半导体硅锗中的离子注入 / (美)迈耶(J.W.Mayer)等著 , 余怀之等译 |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 1979 |
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载体形态:
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290页 19cm |
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附注内容:
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书名原文:Ion implantation in semiconductors silicon and germanium |
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主题:
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元素半导体-硅-离子注入 |
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主题:
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硅-元素半导体-离子注入 |
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主题:
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离子注入-硅-元素半导体 |
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主题:
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元素半导体-锗-离子注入 |
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主题:
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锗-元素半导体-离子注入 |
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主题:
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离子注入-锗-元素半导体 |
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中图分类:
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TN305.3 版次： 3 |
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主要著者:
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迈耶 著 |
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主要著者:
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Mayer 著 |
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次要著者:
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余怀之 译 |
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索书号
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TN305.3/1 |
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标签:
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限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01843nam0 2200385 45 001| |0149174571 005| |1920010623161635 010| |□d￥0.97 091| |□aCN□b15031.244 100| |□a20010623d1979 em y0chiy0121 ea 101|1 |□achi□ceng 102| |□aCN□b110000 105| |□ay z 000yy 106| |□ar 200|10|□a半导体硅锗中的离子注入□Aban dao ti gui - | |zhe zhong de li zi zhu ru□f(美)- | |迈耶(J.W.Mayer)等著□g余怀之等译 210| |□a北京□c科学出版社□d1979 215| |□a290页□d19cm 300| |□a书名原文:Ion implantation in sem- | |iconductors silicon and germanium 510|1 |□aIon implantation in semicond- | |uctors silicon and germanium□zeng 606| |□a元素半导体-硅-离子注入 606| |□a硅-元素半导体-离子注入 606| |□a离子注入-硅-元素半导体 606| |□a元素半导体-锗-离子注入 606| |□a锗-元素半导体-离子注入 606| |□a离子注入-锗-元素半导体 690| |□aTN305.3□v3 701| 1|□a迈耶□Amai ye□bJ.W.□4著 701|A1|□aMayer□bJ.W.□4著□AMayer 702| 0|□a余怀之□Ayu huai zhi□4译 801| 2|□aCN□bMT 905| |□aMT□fTN305.3/1□b0159469□t8389- | |48□kwe□b0159474□t838944□kwe□b0- | |362988□t838951□kj□b0665860□t83- | |8953□kj□b0677578□t838952□kj 908| |□a0159469□b464106□cMT□d0□e2□fT- | |N305.3/1□gMT□hyt□i□j0.97□k□l1- | |□m□n□o平装□p838948□q2002-06-10□r- | |0.97□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt 908| |□a0159474□b464106□cMT□d0□e2□fT- | |N305.3/1□gMT□hyt□i□j0.97□k□l1- | |□m□n□o平装□p838944□q2002-06-10□r- | |0.97□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt 908| |□aM0159469□b1900077149□cMT□d□e- | |2□fTN305.3/1□gMT□hyt□i□j.97□k- | |□l1□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□- | |u□v999_CN01□w2002-06-10□y□zyt 908| |□aM0159474□b1900077149□cMT□d□e- | |2□fTN305.3/1□gMT□hyt□i□j.97□k- | |□l1□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□- | |u□v999_CN01□w2002-06-10□y□zyt