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抗辐射电子学：辐射效应及加固原理, 赖祖武主编 |
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ISBN:
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7-118-01866-X 价格： ￥18 |
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语种:
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chi |
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题名:
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抗辐射电子学 / 赖祖武主编 , |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 国防工业出版社 出版日期： 1998 |
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载体形态:
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25,363页 20cm |
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附注内容:
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国防科技图书出版基金资助出版 |
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其它题名:
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辐射效应及加固原理 |
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主题:
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抗辐射性-半导体电子学 |
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主题:
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半导体电子学-抗辐射性 |
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主题:
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半导体器件-辐射效应 |
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主题:
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辐射效应-半导体器件 |
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中图分类:
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TN322 版次： 3 |
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中图分类:
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TN43 版次： 3 |
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科图分类:
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73.73244 版次： 2 |
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主要著者:
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赖祖武 主编 |
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索书号
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TN322/18 |
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标签:
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相关主题:
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相关资源:
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分享资源:
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限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01477nam0 2200361 45 001| |0199013695 005| |19990831105426 010| |□a7-118-01866-X□d￥18 100| |□a19990831kem 101|0 |□achi□eeng 102| |□aCN□b110000 105| |□ay z 000yy 106| |□ar 200|10|□a抗辐射电子学□Akang fu she dian zi - | |xue□e辐射效应及加固原理□f赖祖武主编 210| |□a北京□c国防工业出版社□d1998 215| |□a25,363页□d20cm 225|2 |□a中国工程物理研究院科技丛书□h第023号 300| |□a国防科技图书出版基金资助出版 410| 0|□120010□a中国工程物理研究院科技丛书 510|1 |□aRadiation hardening electron- | |ics□eRadiation effects and har- | |dening techniques□zeng 517|1 |□a辐射效应及加固原理□Afu she xiao ying - | |ji jia gu yuan li 606| |□a抗辐射性-半导体电子学 606| |□a半导体电子学-抗辐射性 606| |□a半导体器件-辐射效应 606| |□a辐射效应-半导体器件 690| |□aTN322□v3 690| |□aTN43□v3 692| |□a73.73244□v2 701| 0|□a赖祖武□Alai zu wu□4主编 801| 0|□aCN□bNLC□c19981125 905| |□aMT□fTN322/18□s2□kj□b1843289□- | |kw□b1843290 908| |□a1843290□b167083□cMT□d0□e2□fT- | |N322/18□gMT□hyt□i□j18.0□k□l1□- | |m□n0□o平装□p0□q1990-01-01□r18.0□- | |t□u□v999_CN01□w1990-01-01□y订购□zyt 908| |□aM1843290□b1900014620□cMT□d□e- | |2□fTN322/18□gMT□hyt□i□j18□k□l- | |1□m□n□o平装□p□q1990-01-01□r□t□u□- | |v999_CN01□w1990-01-01□y□zyt