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GaInAsp合金半导体, (美)皮尔索尔(T.P.Pearsall)编 |
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ISBN:
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7-115-04241-1 价格： ￥7.05 |
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语种:
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chi |
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题名:
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GaInAsp合金半导体 / (美)皮尔索尔(T.P.Pearsall)编 , 于荣金译 |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 人民邮电出版社 出版日期： 1990.7 |
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载体形态:
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483页 20cm |
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附注内容:
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书名原文:GaInAsp alloy semiconductors |
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摘要:
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本书系统介绍了GaInAsp合金半导体材料制备工艺、性能以及器件。对半导体的各种外延生长技术、材料的性能和评价方法、器件等作了全面的介绍。 |
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主题:
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Ⅲ-V族化合物半导体 |
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中图分类:
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TN304.1 版次： |
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中图分类:
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TN304.23 版次： |
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主要著者:
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皮尔索尔 编 |
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主要著者:
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Pearsall 编 |
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次要著者:
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于荣金 译 |
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索书号
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TN304.1/6 |
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标签:
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分享资源:
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限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01389nam0 2200313 45 001| |0191009891 005| |1920010623140729 010| |□a7-115-04241-1□d￥7.05 100| |□a20010623d1990 em y0chiy0121 eb 101|1 |□achi□ceng 102| |□aCN□b110000 105| |□ay z 000yy 106| |□ar 200|10|□aGaInAsp合金半导体□f(美)皮尔索尔(T.P.Pe- | |arsall)编□g于荣金译□AGaInAsp he jin- | | ban dao ti 210| |□a北京□c人民邮电出版社□d1990.7 215| |□a483页□d20cm 300| |□a书名原文:GaInAsp alloy semiconductors 330| |□a本书系统介绍了GaInAsp合金半导体材料制备工艺、性能- | |以及器件。对半导体的各种外延生长技术、材料的性能和评价方法、- | |器件等作了全面的介绍。 510|1 |□aGaInAsp alloy semiconductors□zeng 606| |□aⅢ-V族化合物半导体 690| |□aTN304.1 690| |□aTN304.23 701| 1|□a皮尔索尔□bT.P.□4编□Api er suo er 701|A1|□aPearsall□bT.P.□4编□APearsall 702| 0|□a于荣金□4译□Ayu rong jin 801| 2|□aCN□bMT 905| |□aMT□fTN304.1/6□b0665844□t1616866□kj 908| |□a0079805□b128588□cMT□d0□e2□fT- | |N304.1/6□gMT□hyt□i□j7.05□k□l1- | |□m□n0□o平装□p1616867□q1990-01-01- | |□r7.05□t□u□v999_CN01□w1990-01-01□y订购□zyt 908| |□aM0079805□b1900086540□cMT□d□e- | |2□fTN304.1/6□gMT□hyt□i□j7.05□- | |k□l1□m□n□o平装□p□q1990-01-01□r□t- | |□u□v999_CN01□w1990-01-01□y□zyt