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超大规模集成电路工艺学, (美)史西蒙(S.M.Sze)主编 |
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ISBN:
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7-313-00046-4 价格： ￥4.80 |
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语种:
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chi |
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题名:
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超大规模集成电路工艺学 / (美)史西蒙(S.M.Sze)主编 , 史常忻等译 |
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出版发行:
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出版地： 上海 出版社： 上海交通大学出版社 出版日期： 1987.10 |
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载体形态:
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456页 26cm |
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摘要:
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包括晶体生长、电子制备, 外延、介质和多晶硅淀积、氧化、扩散、离子注入、光刻、干法刻蚀、金属化、装配和管壳、成品率和可靠性。 |
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主题:
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超大规模集成电路 |
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中图分类:
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TN47 版次： 3 |
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主要著者:
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史西蒙 主编 |
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主要著者:
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Sze 主编 |
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次要著者:
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史常忻 译 |
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索书号
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TN47/50 |
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标签:
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相关主题:
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限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01262nam0 2200277 45 001| |0191009422 005| |1920010702130957 010| |□a7-313-00046-4□d￥4.80 100| |□a20010702d1987 em y0chiy0121 eb 101|1 |□achi□ceng 102| |□aCN□b310000 105| |□ay z 000yy 106| |□ar 200|10|□a超大规模集成电路工艺学□f(美)史西蒙(S.M.Sze)- | |主编□g史常忻等译□Achao da gui mo ji c- | |heng dian lu gong yi xue 210| |□a上海□c上海交通大学出版社□d1987.10 215| |□a456页□d26cm 330| |□a包括晶体生长、电子制备, 外延、介质和多晶硅淀积、氧化、- | |扩散、离子注入、光刻、干法刻蚀、金属化、装配和管壳、成品率和- | |可靠性。 606| 0|□a超大规模集成电路 690| |□aTN47□v3 701| 1|□a史西蒙□bS.M.□4主编□Ashi xi meng 701|A1|□aSze□bS.M.□4主编□ASze 702| 0|□a史常忻□4译□Ashi chang xin 801| 2|□aCN□bMT 905| |□aMT□fTN47/50□b0664190□t1380398□kj 908| |□a0080321□b128159□cMT□d0□e2□fT- | |N47/50□gMT□hyt□i□j4.8□k□l1□m□- | |n0□o平装□p1380397□q1990-01-01□r4- | |.8□t□u□v999_CN01□w1990-01-01□y订购□zyt 908| |□aM0080321□b1900031479□cMT□d□e- | |2□fTN47/50□gMT□hyt□i□j4.8□k□l- | |1□m□n□o平装□p□q1990-01-01□r□t□u□- | |v999_CN01□w1990-01-01□y□zyt