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半导体器件及电路的可靠性与退化, (英)豪斯(M.J.Howes)，(英)摩根(D.V.Morgan)主编 |
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ISBN:
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7-03-001164-3 价格： ￥16.40 |
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语种:
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chi |
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题名:
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半导体器件及电路的可靠性与退化 / (英)豪斯(M.J.Howes)，(英)摩根(D.V.Morgan)主编 , 李锦林等译 |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 科学出版社 出版日期： 1989 |
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载体形态:
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463页 20cm |
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附注内容:
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书名原文:Reliability and degradation semiconductor devices and circuits |
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摘要:
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本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管，场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器以及微波集成电路等各种半导体器件和电路的可靠性和退化 问题。 |
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主题:
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半导体技术 可靠性 |
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主题:
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半导体器件 电子电路 |
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中图分类:
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TN306 版次： |
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中图分类:
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TN303 版次： |
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科图分类:
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73.73 版次： |
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科图分类:
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73.731.4 版次： |
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主要著者:
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豪斯 主编 |
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主要著者:
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Howes 主编 |
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主要著者:
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摩根 主编 |
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主要著者:
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Morgan 主编 |
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次要著者:
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李锦林 译 |
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索书号
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TN306/6 |
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标签:
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限定所在馆:
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限定馆藏状态:
HEA| |01746nam0 2200373 45 001| |0149174590 005| |1920011215145959 010| |□a7-03-001164-3□d￥16.40 100| |□a20010818d1999 em y0chiy0121 ea 101|1 |□achi□ceng 102| |□aCN□b110000 105| |□ay z 000yy 106| |□ar 200|10|□a半导体器件及电路的可靠性与退化□f(英)豪斯(M.J.H- | |owes)，(英)摩根(D.V.Morgan)主编□g李锦林- | |等译□ABandaoti Qijian Ji Dianlu - | |De Kekaoxing Yu Tuihua 210| |□a北京□c科学出版社□d1989 215| |□a463页□d20cm 300| |□a书名原文:Reliability and degrada- | |tion semiconductor devices and circuits 330| |□a本书阐述了用硅、砷化镓及磷化铟等材料制作的双极型晶体管，- | |场效应晶体管、发光二极管、半导体激光器以及微波集成电路等各种- | |半导体器件和电路的可靠性和退化 问题。 510|1 |□aReliability and degradation - | |semiconductor devices and circuits□zeng 606|0 |□a半导体技术□x可靠性 606|0 |□a半导体器件□x电子电路□x可靠性 690| |□aTN306 690| |□aTN303 692| |□a73.73 692| |□a73.731.4 701| 1|□a豪斯□bM.J.□4主编□Ahao si 701|A1|□aHowes□bM.J.□4主编□AHowes 701| 1|□a摩根□bD.V.□4主编□Amo gen 701|A1|□aMorgan□bD.V.□4主编□AMorgan 702| 0|□a李锦林□ALi Jin Lin□4译 801| 2|□aCN□bMT 905| |□aMT□fTN306/6□b0182282□t159438- | |1□kwe□b0665828□t1594380□kj 908| |□a0182282□b464122□cMT□d0□e2□fT- | |N306/6□gMT□hyt□i□j16.4□k□l1□m- | |□n□o平装□p1594381□q2002-06-10□r1- | |6.4□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt 908| |□aM0182282□b1900023148□cMT□d□e- | |2□fTN306/6□gMT□hyt□i□j16.4□k□- | |l1□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□u- | |□v999_CN01□w2002-06-10□y□zyt