名称:
描述:
公开/私有: 公开 私有
标签: 用空格间隔多个标签,如:小说 文学 余秋雨
保存至书单:

高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术, 徐传骧主编

ISBN:
价格: ¥0.70
语种:
chi
题名:
高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术 / 徐传骧主编 ,
出版发行:
出版地: 北京 出版社: 机械工业出版社 出版日期: 1981
载体形态:
206页 19cm
主题:
高压硅堆-耐压性
主题:
耐压性-高压硅堆
主题:
高压硅堆-表面-决缘工艺
主题:
表面-高压硅堆-决缘工艺
主题:
决缘工艺-表面-高压硅堆
中图分类:
TN342 版次: 3
主要著者:
徐传骧 主编
索书号
TN342/6
标签:
相关主题:
相关资源:
分享资源:
限定所在馆: 限定所在馆藏地点: 限定馆藏状态:
HEA|  |01530nam0 2200325   45  
001|  |0149174699
005|  |1920010625164129
010|  |□d¥0.70
091|  |□aCN□b15033.5172
100|  |□a20010625d1981    em y0chiy0121    ea
101|0 |□achi
102|  |□aCN□b110000
105|  |□ay   z   000yy
106|  |□ar
200|10|□a高压硅半导体器件耐压与表面绝缘技术□Agao ya gu-
   |  |i ban dao ti qi jian nai ya yu-
   |  | biao mian jue yuan ji shu□f徐传骧主编
210|  |□a北京□c机械工业出版社□d1981
215|  |□a206页□d19cm
606|  |□a高压硅堆-耐压性
606|  |□a耐压性-高压硅堆
606|  |□a高压硅堆-表面-决缘工艺
606|  |□a表面-高压硅堆-决缘工艺
606|  |□a决缘工艺-表面-高压硅堆
690|  |□aTN342□v3
701| 0|□a徐传骧□Axu chuan xiang□4主编
801| 2|□aCN□bMT
905|  |□aMT□fTN342/6□b0182205□t995800-
   |  |□kj□b0182210□t995799□kwe□b0363-
   |  |002□t995796□kj□b0665678□t99579-
   |  |7□kj□b0665718□t995798□kj
908|  |□a0182205□b464211□cMT□d0□e2□fT-
   |  |N342/6□gMT□hyt□i□j0.7□k□l1□m□-
   |  |n□o平装□p995800□q2002-06-10□r0.7-
   |  |□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt
908|  |□a0182210□b464211□cMT□d0□e2□fT-
   |  |N342/6□gMT□hyt□i□j0.7□k□l1□m□-
   |  |n□o平装□p995799□q2002-06-10□r0.7-
   |  |□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt
908|  |□aM0182205□b1900092235□cMT□d□e-
   |  |2□fTN342/6□gMT□hyt□i□j.7□k□l1-
   |  |□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□u□v-
   |  |999_CN01□w2002-06-10□y□zyt
908|  |□aM0182210□b1900092235□cMT□d□e-
   |  |2□fTN342/6□gMT□hyt□i□j.7□k□l1-
   |  |□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□u□v-
   |  |999_CN01□w2002-06-10□y□zyt