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功率半导体器件：工作原理和制造工艺, (美)格安迪(S.K.Ghandhi)著 |
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ISBN:
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价格： ￥1.10 |
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语种:
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chi |
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题名:
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功率半导体器件 / (美)格安迪(S.K.Ghandhi)著 , 张光华,钟士谦译 |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 机械工业出版社 出版日期： 1982 |
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载体形态:
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277页 21cm |
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附注内容:
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书名原文:Semiconductor power devices(Physics of operation and fabrication technology) |
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其它题名:
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工作原理和制造工艺 |
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主题:
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半导体器件 |
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中图分类:
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TN303 版次： 3 |
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主要著者:
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格安迪 著 |
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主要著者:
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Ghandhi 著 |
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次要著者:
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张光华 译 |
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次要著者:
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钟士谦 译 |
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索书号
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TN303/11 |
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标签:
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相关主题:
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相关资源:
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分享资源:
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限定所在馆:
限定所在馆藏地点:
限定馆藏状态:
HEA| |01777nam0 2200349 45 001| |0149174503 005| |1920010623112214 010| |□d￥1.10 091| |□aCN□b15033.4999 100| |□a20010623d1982 em y0chiy0121 ea 101|1 |□achi□ceng 102| |□aCN□b110000 105| |□ay z 000yy 106| |□ar 200|10|□a功率半导体器件□Agong lv ban dao ti - | |qi jian□e工作原理和制造工艺□f(美)格安迪(S.K- | |.Ghandhi)著□g张光华,钟士谦译 210| |□a北京□c机械工业出版社□d1982 215| |□a277页□d21cm 300| |□a书名原文:Semiconductor power dev- | |ices(Physics of operation and - | |fabrication technology) 510|1 |□aSemiconductor power devices(- | |Physics of operation and fabri- | |cation technology)□zeng 517|1 |□a工作原理和制造工艺□Agong zuo yuan li - | |he zhi zao gong yi 606| |□a半导体器件 690| |□aTN303□v3 701| 1|□a格安迪□Age an di□bS.K.□4著 701|A1|□aGhandhi□bS.K.□4著□AGhandhi 702| 0|□a张光华□Azhang guang hua□4译 702| 0|□a钟士谦□Azhong shi qian□4译 801| 2|□aCN□bMT 905| |□aMT□fTN303/11□b0159429□t11451- | |76□kwe□b0159430□t1145177□kwe□b- | |0382289□t1145171□kj□b0669368□t- | |1145173□kj□b0669540□t1145172□kj 908| |□a0159430□b464049□cMT□d0□e2□fT- | |N303/11□gMT□hyt□i□j1.1□k□l1□m- | |□n□o平装□p1145177□q2002-06-10□r1- | |.1□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt 908| |□a0159429□b464049□cMT□d0□e2□fT- | |N303/11□gMT□hyt□i□j1.1□k□l1□m- | |□n□o平装□p1145176□q2002-06-10□r1- | |.1□t□u□v999_CN01□w2002-06-10□y订购□zyt 908| |□aM0159430□b1900035947□cMT□d□e- | |2□fTN303/11□gMT□hyt□i□j1.1□k□- | |l1□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□u- | |□v999_CN01□w2002-06-10□y□zyt 908| |□aM0159429□b1900035947□cMT□d□e- | |2□fTN303/11□gMT□hyt□i□j1.1□k□- | |l1□m□n□o平装□p□q2002-06-10□r□t□u- | |□v999_CN01□w2002-06-10□y□zyt